膜厚仪

型号：TFX3000、TFX4000、TFX-R3（5nm工艺）
核心参数：白光干涉+光谱反射技术，测量范围1nm–100μm，分辨率≤0.1nm，适用200mm/300mm全自动晶圆，支持SiO₂、SiN、High‑k、光刻胶、金属层等薄膜类型，适配5nm制程工艺
典型用途：半导体CMP、刻蚀、薄膜沉积膜厚/折射率测量